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    1. 侵權投訴

      上游產能緊張 存儲器、LCD驅動全線大漲20%

      Simon觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:Simon ? 2020-11-12 17:04 ? 次閱讀
      電子發燒友網報道(文/黃山明)隨著全球經濟在第三季度開始恢復,電子元器件的需求也開始回暖,帶動產業中上游逐漸回歸正軌。與此同時,受惠于5G的快速發展,以及由于疫情緣故壓縮的需求在三季度釋放,讓市場開始呈現火爆現象,但另一方面,供應卻嚴重不足。

      前段時間由于8寸晶圓滿載,已經引起了市場中部分器件價格的上漲。而近期,聯電、力積電及部分封測廠也有漲價的消息放出。上游的IC設計企業及IDM廠開始以轉嫁成本為由,與客戶協商調漲芯片價格。而下游廠商已經開始針對該情況做出了反應。

      2020年11月10日,深圳某芯片公司已經向客戶發送了調價通知函,稱由于投片廠、封裝廠產能緊張,原材料價格上漲,客戶訂單大幅度增加。因此,該公司決定,將MCU系列恢復到代理商價格體系。

      同時,該公司要求所有代理商需要提前給出2021年上半年預估的進貨量并交付定金,才能最終保證供貨。存儲器EEPROM(24Cxx系列)、Nor Flash(25Qxx系列)、LCD驅動系列,全面上漲10%-20%。LDO(71xx\75xx\70xx\73xx系列)暫不漲價,這項決定將于2020年11月10日開始執行。

      以LCD為例,今年國慶后價格便開始繼續上漲,漲幅已經超過100%,同時價格一天一個樣。并且有消息稱,許多LCD廠已經停止了報價、接單,即便愿意出高價,也只能排隊等待,每周能夠分到的LCD屏僅為300-500片。

      此次漲價,究其原因是上游原材料的短缺,以及疫情反復導致國外許多企業再次停工。而在LCD領域,市場供需結構失衡也是重要的原因之一,日韓企業退出LCD領域導致產能一時間無法跟上市場需求。

      當然,市場中也不乏存在人為囤貨,加速市場材料短缺現狀,但這種情況只是商業行為,根本原因還是在于供需失衡。

      如果只是單純的漲價,無非是讓某些有實力的企業在這個時間段大賺一筆。但問題在于,現在有錢也很難拿到大量的貨源。

      嚴重缺貨將導致交貨周期持續拉長,甚至到最后無貨可賣的地步。不僅可能讓部分商家產生違約的風險,更嚴重還可能造成客戶流失。

      電子元器件的價格受到匯率、供應鏈等多重因素的影響,此次的漲價是由于上游產能及原材料的不足所導致,因此,此輪漲價潮或將持續至2021年上半年。當然,由于電子元器件產業供應鏈的牛鞭效應影響,漲價潮的影響或將持續到2021年的下半年。

      對于下游廠商而言,應該積極備貨,加深庫存至半年左右,避免斷貨的危險。另一方面,可以積極去其他市場尋找新的貨源進行補充,雖然國內市場面臨漲價缺貨的情況,但這種情況還未蔓延至全球,可以在其他市場積極備貨,提前布局。

      聲明本文由電子發燒友原創,轉載請注明以上來源。如需入群交流,請添加微信elecfans999,投稿爆料采訪需求,請發郵箱huangjingjing@elecfans.com。
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      發表于 04-15 06:05 ? 0次 閱讀
      請問怎么設計一種面向嵌入式存儲器測試和修復的IIP?

      STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

      oelectronics STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC內核,工作頻率高達400MHz。Cortex-M7內核具有浮點單元 (FPU) 精度,支持Arm雙精度(符合IEEE 754標準)和單精度數據處理指令與數據類型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲器保護單元 (MPU),可增強應用的安全性。 該MCU采用高速嵌入式存儲器,具有高達2MB的雙區閃存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用戶SRAM以及4KB的備份SRAM)。另外,該器件還具有各種連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣的增強型I/O和外設,以及支持內部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。 該器件設有三個ADC、兩個DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗RTC、一個高分辨率定時器、12個通用16位定時器、兩個用于電機控制的PWM定時器、五個低功耗定時器和一個真隨機數發生器 (RNG)。該器件支持四個用于外部Σ-Δ調制器 (DFSDM) 的數字濾波器,并設有標準和高級通信接口。 特性 核心 ...
      發表于 10-28 14:50 ? 175次 閱讀
      STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

      ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

      標準的參數搜索 易于訪問密鑰產品參數 部件號搜索用于直接訪問特定的產品 數據表的下載離線咨詢 來采樣和購買 最喜歡的部分數字管理 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 適用于Android?或iOS?操作系統 在Wandoujia應用程序商店,為中國用戶提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS設備上使用的手機應用程序提供通過www.st.com在線產品組合中的一個用戶友好的替代搜索,驅動用戶使用以及便攜式設備順利和簡單的導航體驗。參數搜索引擎允許用戶快速識別出最適合其應用合適的產品。此應用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
      發表于 05-21 07:05 ? 125次 閱讀
      ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

      ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二極管產品查找程序

      ,零件編號和產品 技術數據表下載和離線咨詢一系列的搜索功能 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表收藏欄目 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 可在安卓?和iOS?應用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索使用便攜式設備的ST二極管的產品組合。您可以輕松地定義設備最適合使用參數或一系列的搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
      發表于 05-20 18:05 ? 109次 閱讀
      ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二極管產品查找程序

      ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

      引導搜索 部分號碼搜索能力 主要產品功能發現 數據表下載和離線咨詢 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 樣品訂購所選產品的 主屏幕上的語言選擇 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半導體串行EEPROM組合最快和最明智的方式使用智能電話或平板。
      發表于 05-20 17:05 ? 84次 閱讀
      ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

      ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

      或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線咨詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用于Android收藏節?和iOS?應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕松地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
      發表于 05-20 17:05 ? 129次 閱讀
      ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

      ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用于移動設備

      于Android和iOS電話移動應用 友好的用戶界面 的直觀的產品的選擇: MEMS和傳感器 評估工具 應用 參數搜索使用多個過濾器 部件號搜索 訪問技術文檔 從ST經銷商在線訂購 通過電子郵件或社交媒體最喜歡的部分數字管理經驗分享 支持的語言:英語(中國,日本和韓國即將推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移動應用程序的Android和iOS,提供用戶友好的替代通過MEMS和傳感器網絡產品組合搜索,驅動用戶一起順利和簡單的導航體驗。...
      發表于 05-20 17:05 ? 104次 閱讀
      ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用于移動設備

      AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

      信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
      發表于 04-18 19:35 ? 78次 閱讀
      AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

      AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

      信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
      發表于 04-18 19:35 ? 83次 閱讀
      AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

      AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

      信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
      發表于 04-18 19:31 ? 154次 閱讀
      AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

      AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

      信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
      發表于 04-18 19:31 ? 114次 閱讀
      AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

      AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

      信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
      發表于 04-18 19:29 ? 132次 閱讀
      AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

      AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

      信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
      發表于 04-18 19:29 ? 131次 閱讀
      AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

      AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

      信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
      發表于 04-18 19:29 ? 258次 閱讀
      AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

      AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

      信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
      發表于 04-18 19:29 ? 197次 閱讀
      AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

      AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

      信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
      發表于 04-18 19:28 ? 272次 閱讀
      AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

      AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

      信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
      發表于 04-18 19:28 ? 240次 閱讀
      AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

      CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

      28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 04-18 19:13 ? 412次 閱讀
      CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

      CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

      56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
      發表于 04-18 19:13 ? 1123次 閱讀
      CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

      CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

      信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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      CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

      CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

      60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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      CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
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